Диоды полупроводниковые / Варикапы подстроечные и умножительные

расширенный поиск

добротность варикапа, не менее:		5 40 50 100 120 150 180 200 250 300 400 450 470 500 550
добротность варикапа (на частоте, МГц), не менее, МГц:		10 50 1000
емкость варикапа, пФ, не менее:		2.43 2.9 2.97 3.51 4.23 5.04 6.12 7.36 8 9.0 12 12.0 14 14.0 14.4 17.5 17.6 18 19.0 19.8 20.0 22.0 23 23.0 24 24.3 25.0 36 61 90.0 95.0 106.0 120 128.0 225 315 375
коэффициент перекрытия по емкости, не менее:		19.5-25 4.9-6.5 3.6-4.4 3.2-4.1 1.8 2.1 2.5 2.6 3.4 3.9 4 4.2 4.75 5.6 6 7 8 8.3 8.9 13.5
максимальная емкость варикапа, пФ, не более:		2.97 3.4 3.63 4.29 5.16 6.16 7.48 9.02 10 11.0 12 14 18 18.0 21 21.6 22 22.0 24.2 25.0 26 26.4 27.0 28.0 29.7 30 30.0 36 37.0 42 75 120.0 143.0 144.0 180 192.0 275 385 400 475

Найдено в каталоге: 174

Наименование	ТУ
2В102А1/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102А9/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102Б1/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102Б9/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102В1/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102В9/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102Г1/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102Г9/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102Д1/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ
2В102Д9/НТ	АЕЯР.432120.447ТУ