Продукция:

Транзисторы / IGBT

расширенный поиск
Производитель:
EOFF (тип.), мДж:
EON (тип.), мДж:
FWD:
PD, Вт:
TA, °C:
VCE(sat), В:
VCES, В:
td(off) (тип.), нс:
td(on) (тип.), нс:
tf (тип.), нс:
tr (тип.), нс:
Корпус:
Рабочий ток IC, А:
При TC, °C:
Найдено в каталоге: 869
Наименование Описание Производитель
GT40QR21 Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А Toshiba
IRG7PH35U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF)
IRG7PH35UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF)
IRG7PH42U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF)
IRG7PH42UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF)
IRG7PH46U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF)
IRG7PH46UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF)
IRG7PH50U Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В International Rectifier (IRF)
IRG7PSH50UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF)
IRGP4066D Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда International Rectifier (IRF)