Продукция:

RAM / MRAM

расширенный поиск
Производитель:
ICC Standby, мкА:
ICCR, мА:
ICCW, мА:
TA, °C:
VCC, В:
Время
выборки, нс:
Корпус:
Организация Разрядов, бит:
Слов, K:
Найдено в каталоге: 23
Наименование Описание Производитель
EV2A16AM 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память e2v
EV2A16AV 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память e2v
MR0A08B Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит Everspin Technologies
MR0A08BC Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит Everspin Technologies
MR0A08BM Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит Everspin Technologies
MR0A16A Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит Everspin Technologies
MR0A16AV Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит Everspin Technologies
MR0A16AС Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит Everspin Technologies
MR1A16A Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит Everspin Technologies
MR1A16AC Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит Everspin Technologies
1 2 3